5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 2N7000
2N7000 PDF预览

2N7000

更新时间： 2024-11-30 05:56:07
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC 晶体晶体管开关
页数 文件大小 规格书
10页 209K
描述
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

2N7000 数据手册

 浏览型号2N7000的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2N7000的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2N7000的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2N7000的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2N7000的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2N7000的Datasheet PDF文件第7页 
March 1993  
2N7000/2N7002/NDF7000A/NDS7002A  
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
Y
Efficient high density cell design approaching  
2
(3 million/in )  
These n-channel enhancement mode field effect transistors  
are produced using National’s very high cell density third  
generation DMOS technology. These products have been  
designed to minimize on-state resistance provide rugged  
and reliable performance and fast switching. They can be  
used, with a minimum of effort, in most applications requir-  
ing up to 400 mA DC and can deliver pulsed currents up to  
2A. This product is particularly suited to low voltage, low  
current applications, such as small servo motor controls,  
power MOSFET gate drivers, and other switching applica-  
tions.  
Y
Voltage controlled small signal switch  
Y
Rugged  
Y
High saturation current  
Y
Low R  
(ON)  
DS  
TL/G/11378–2  
TL/G/11378–1  
TO-92  
7000 Series  
TO-236 AB  
(SOT-23)  
7002 Series  
TL/G/11378–3  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
2N7000  
2N7002  
NDF7000A  
NDS7002A  
Units  
V
V
60  
60  
DSS  
DGR  
GSS  
s
V
V
Drain-Gate Voltage (R  
Gate-Source Voltage  
1 MX)  
V
GS  
g
40  
400  
V
I
Drain CurrentÐContinuous  
200  
500  
400  
3.2  
115  
800  
200  
1.6  
280  
1500  
300  
2.4  
mA  
mA  
mW  
D
ÐPulsed  
2000  
625  
5
@
e
25 C  
P
D
Total Power Dissipation  
T
§
A
Derating above 25 C  
§
mW/ C  
§
b
b
65 to 150  
T , T  
J STG  
Operating and Storage Temperature Range  
55 to 150  
C
§
T
L
Maximum Lead Temperature for Soldering  
300  
C
§
Purposes, (/16* from Case for 10 Seconds  
C
1995 National Semiconductor Corporation  
TL/G/11378  
RRD-B30M115/Printed in U. S. A.  
1234567...10

中文翻译

下载PDF

2N7000 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BSS123TA DIODES

功能相似

 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
ZVP1320FTA DIODES

功能相似

 200V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET IN SOT23
ZVN3320FTA DIODES

功能相似

 SOT23 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

与2N7000相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N7000/D ETC

获取价格

 		Small Signal MOSFET 200 mAmps， 60 Volts
2N7000/D10Z TI

获取价格

 		200mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
2N7000/D11Z TI

获取价格

 		200mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
2N7000/D27Z TI

获取价格

 		200mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
2N7000/D29Z TI

获取价格

 		200mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
2N7000/D74Z TI

获取价格

 		200mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
2N7000/E7 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 300MA I(D) | TO-226AA
2N7000_07 SUPERTEX

获取价格

 		N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
2N7000_07 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 60V - 1.8Ω - 0.35A - SOT23-3L / TO-
2N7000_07 ONSEMI

获取价格

 		Small Signal MOSFET 200 mAmps, 60 Volts N−Channel TO−92 200 mAMPS 60 VOLTS

与2N7000相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证