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2N7000BUD75Z

更新时间： 2024-02-17 14:57:54

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	45K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92

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技术参数
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2N7000BUD75Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.56	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	0.2 A
最大漏源导通电阻：	5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2N7000BUD75Z 数据手册

2N7000BU/2N7000TA

Advanced Small Signal MOSFET

FEATURES

BV_DSS= 60 V

R_DS(on)= 5.0 Ω

I_D= 200 mA

n Fast Switching Times

n Improved Inductive Ruggedness

n Lower Input Capacitance

n Extended Safe Operating Area

n Improved High Temperature Reliability

TO-92

1.Source 2. Gate 3. Drain

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Characteristic

Drain-to-Source Voltage

Value

Units

V_DSS

Continuous Drain Current (T_C=25℃)

Continuous Drain Current (T_C=100℃)

Drain Current-Pulsed

200

110

1000

±30

400

3.2

I_D

I_DM

①

V_GS

Gate-to-Source Voltage

Total Power Dissipation (T_C=25℃)

Linear Derating Factor

P_D

T_J, T_STG

T_L

mW/℃

Operating Junction and

- 55 to +150

300

Storage Temperature Range

Maximum Lead Temp. for Soldering

℃

Purposes, 1/8? from case for 5-seconds

Thermal Resistance

Symbol

Characteristic

Junction-to-Ambient

Typ.

Max.

Units

℃/W

R_θJA

312.5

Rev. A

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N7000BUJ05Z	FAIRCHILD	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal	获取价格
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2N7000CSM_06	SEME-LAB	NâCHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR	获取价格
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