5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 2N7000_D74Z
2N7000_D74Z PDF预览

2N7000_D74Z

更新时间： 2024-01-26 16:39:56
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 87K
描述
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor, 3LD, TO-92, MOLDED, 0.200 IN LINE SPACING LD FORM (J61Z OPTION), 2000/AMMO

阅读下载

获取价格

2N7000_D74Z 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
Factory Lead Time：11 weeks风险等级：0.52
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.2 A最大漏极电流 (ID)：0.2 A
最大漏源导通电阻：5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：5 pFJEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.4 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2N7000_D74Z 数据手册

 浏览型号2N7000_D74Z的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2N7000_D74Z的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2N7000_D74Z的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2N7000_D74Z的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2N7000_D74Z的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2N7000_D74Z的Datasheet PDF文件第7页 
November 1995  
2N7000 / 2N7002 / NDS7002A  
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
High density cell design for low RDS(ON)  
.
These N-Channel enhancement mode field effect transistors  
are produced using Fairchild's proprietary, high cell density,  
DMOS technology. These products have been designed to  
minimize on-state resistance while provide rugged, reliable,  
and fast switching performance. They can be used in most  
applications requiring up to 400mA DC and can deliver  
pulsed currents up to 2A. These products are particularly  
suited for low voltage, low current applications such as small  
servo motor control, power MOSFET gate drivers, and other  
switching applications.  
Voltage controlled small signal switch.  
Rugged and reliable.  
High saturation current capability.  
___________________________________________________________________________________________  
D
G
D
G
S
TO-92  
2N7000  
S
(TO-236AB)  
2N7002/NDS7002A  
Absolute Maximum Ratings  
TA = 25°C unless otherwise noted  
2N7000  
2N7002  
60  
NDS7002A  
Symbol  
Parameter  
Units  
VDSS  
Drain-Source Voltage  
V
V
60  
VDGR  
VGSS  
Drain-Gate Voltage (RGS < 1 MW)  
Gate-Source Voltage - Continuous  
V
±20  
- Non Repetitive (tp < 50µs)  
±40  
115  
800  
200  
1.6  
ID  
Maximum Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
200  
500  
400  
3.2  
280  
1500  
mA  
PD  
Maximum Power Dissipation  
Derated above 25oC  
300  
mW  
mW/°C  
°C  
2.4  
TJ,TSTG  
TL  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to 150  
-65 to 150  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/16" from Case for 10 Seconds  
300  
625  
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
312.5  
417  
°C/W  
R
JA  
q
© 1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
2N7000.SAM Rev. A1  
1234567

下载PDF

与2N7000_D74Z相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2N7000A KEC FIELD EFFECT TRANSISTOR

获取价格
2N7000-A DIODES 200mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92

获取价格
2N7000AMO NXP TRANSISTOR 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, PLASTIC, SPT, TO-92 V

获取价格
2N7000-AP MCC Small Signal Field-Effect Transistor,

获取价格
2N7000-AP-HF MCC Small Signal Field-Effect Transistor,

获取价格
2N7000B DIODES Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal

获取价格

与2N7000_D74Z相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证