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2N7000

更新时间： 2024-11-18 07:29:15

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德欧泰克 - DIOTEC		晶体晶体管开关
页数	文件大小	规格书
2页	106K
描述
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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2N7000 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	0.49	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	0.2 A
最大漏源导通电阻：	5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N7000 数据手册

2N7000

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

N-Kanal Feldeffekt Transistor – Anreicherungstyp

Version 2011-02-16

Power dissipation

Verlustleistung

350 mW

Plastic case

Kunststoffgehäuse

TO-92

(10D3)

S GD

Weight approx.

Gewicht ca.

0.18 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

2 x 2.54

Standard packaging taped in ammo pack

Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack

Dimensions - Maße [mm]

Maximum ratings (T_A= 25°C)

Grenzwerte (T_A= 25°C)

2N7000

60 V

Drain-Source-voltage – Drain-Source-Spannung

Drain-Gate-voltage – Drain-Gate-Spannung

V_DSS

V_DGR

R_GS≤ 1 MΩ

60 V

Gate-Source-voltage – Gate-Source-Spannung

Power dissipation – Verlustleistung

V_GSS

± 20 V

± 40 V

t_p< 50 µs

P_tot

350 mW

Drain current continuos – Drainstrom (dc)

Peak Drain current – Drain-Spitzenstrom

I_D

I_DM

200 mA

500 mA

Operating Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

T_S

150°C

-55…+150°C

http://www.diotec.com/

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2N7000 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2N7000RLRPG	ONSEMI	功能相似	Small Signal MOSFET 200 mAmps, 60 Volts N−Channel TO−92 200 mAMPS 60 VOLTS
2N7000RLRMG	ONSEMI	功能相似	Small Signal MOSFET 200 mAmps, 60 Volts N−Channel TO−92 200 mAMPS 60 VOLTS

与2N7000相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N7000/D	ETC	获取价格	Small Signal MOSFET 200 mAmps， 60 Volts
2N7000/D10Z	TI	获取价格	200mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
2N7000/D11Z	TI	获取价格	200mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
2N7000/D27Z	TI	获取价格	200mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
2N7000/D29Z	TI	获取价格	200mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
2N7000/D74Z	TI	获取价格	200mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
2N7000/E7	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 300MA I(D) \| TO-226AA
2N7000_07	SUPERTEX	获取价格	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
2N7000_07	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 60V - 1.8Ω - 0.35A - SOT23-3L / TO-
2N7000_07	ONSEMI	获取价格	Small Signal MOSFET 200 mAmps, 60 Volts N−Channel TO−92 200 mAMPS 60 VOLTS

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