Datasheet > 2N7000

2N7000

更新时间： 2024-01-23 21:45:55

品牌	Logo	应用领域
德欧泰克 - DIOTEC		晶体晶体管开关
页数	文件大小	规格书
2页	106K
描述
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2N7000 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.82
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	0.3 A
最大漏源导通电阻：	5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-226AA	JESD-30 代码：	O-PBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

2N7000 数据手册

2N7000

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

N-Kanal Feldeffekt Transistor – Anreicherungstyp

Version 2011-02-16

Power dissipation

Verlustleistung

350 mW

Plastic case

Kunststoffgehäuse

TO-92

(10D3)

S GD

Weight approx.

Gewicht ca.

0.18 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

2 x 2.54

Standard packaging taped in ammo pack

Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack

Dimensions - Maße [mm]

Maximum ratings (T_A= 25°C)

Grenzwerte (T_A= 25°C)

2N7000

60 V

Drain-Source-voltage – Drain-Source-Spannung

Drain-Gate-voltage – Drain-Gate-Spannung

V_DSS

V_DGR

R_GS≤ 1 MΩ

60 V

Gate-Source-voltage – Gate-Source-Spannung

Power dissipation – Verlustleistung

V_GSS

± 20 V

± 40 V

t_p< 50 µs

P_tot

350 mW

Drain current continuos – Drainstrom (dc)

Peak Drain current – Drain-Spitzenstrom

I_D

I_DM

200 mA

500 mA

Operating Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

T_S

150°C

-55…+150°C

http://www.diotec.com/

中文翻译

下载PDF

2N7000 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2N7000RLRPG	ONSEMI	功能相似	Small Signal MOSFET 200 mAmps, 60 Volts N−Channel TO−92 200 mAMPS 60 VOLTS
2N7000RLRMG	ONSEMI	功能相似	Small Signal MOSFET 200 mAmps, 60 Volts N−Channel TO−92 200 mAMPS 60 VOLTS

与2N7000相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N7000/D	ETC	获取价格	Small Signal MOSFET 200 mAmps， 60 Volts
2N7000/D10Z	TI	获取价格	200mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
2N7000/D11Z	TI	获取价格	200mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
2N7000/D27Z	TI	获取价格	200mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
2N7000/D29Z	TI	获取价格	200mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
2N7000/D74Z	TI	获取价格	200mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
2N7000/E7	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 300MA I(D) \| TO-226AA
2N7000_07	SUPERTEX	获取价格	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
2N7000_07	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 60V - 1.8Ω - 0.35A - SOT23-3L / TO-
2N7000_07	ONSEMI	获取价格	Small Signal MOSFET 200 mAmps, 60 Volts N−Channel TO−92 200 mAMPS 60 VOLTS

与2N7000相关文章

REF70数据手册解读：高精度电压参考源的全面剖析
2024-07-08

4
解析30211801数据手册：PCB端子排MKDSV 5/3-9.5
2024-07-08

3
UL248-14数据手册深度解读：微型保险丝的全面剖析
2024-07-08

5
BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
2024-07-04

18

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2N7000

2N7000 技术参数

2N7000 数据手册

2N7000 替代型号

与2N7000相关器件

与2N7000相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2N7000

2N7000 技术参数

2N7000 数据手册

2N7000 替代型号

与2N7000相关器件

与2N7000相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？