是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DLCC |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-N4 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.67 | 其他特性: | HIGH RELIABILITY |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (ID): | 1 A |
最大漏源导通电阻: | 3 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss): | 12 pF | JEDEC-95代码: | MO-041BA |
JESD-30 代码: | R-PDSO-N4 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 4 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子形式: | NO LEAD | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N6660CSM4_0809 | SEME-LAB |
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N–CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
2N6660-E3 | VISHAY |
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.99A 3-Pin TO-205AD | |
2N6660JANTX | VISHAY |
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N-Channel 60 V (D-S) MOSFET | |
2N6660JANTXV | VISHAY |
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N-Channel 60 V (D-S) MOSFET | |
2N6660JTVP02 | VISHAY |
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19500/547 JANTXV2N6660P WITH PIND | |
2N6660JTXL02 | VISHAY |
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19500/547 JANTX2N6660 W/SOLDER DIP | |
2N6660N2 | SUPERTEX |
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Transistor, | |
2N6660X | SEME-LAB |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR | |
2N6661 | VISHAY |
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N-Channel 80-V and 90-V (D-S) MOSFETS | |
2N6661 | NJSEMI |
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TMOS SWITCHING TRANSISTOR |