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| 是否无铅： | 含铅 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BCY | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.82 | 其他特性： | LOW THRESHOLD, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 90 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.86 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.86 A | 最大漏源导通电阻： | 4 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 10 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-205AD | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 6.25 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Powers |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6661M1A | SEME-LAB |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
| 2N6661N2 | MICROCHIP |
获取价格 |
2N6661N2 |
|
| 2N6666 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 40V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-220, Plastic/Epoxy, 2 Pi |
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| 2N6666 | CENTRAL |
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NPN SILICON TRANSISTOR |
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| 2N6666 | MOSPEC |
获取价格 |
POWER TRANSISTORS(65W) |
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| 2N6666 | BOCA |
获取价格 |
PLASTIC MEDIUM-POWER SILICON TRANSISTORS |
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| 2N6666 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor |
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| 2N6666-6200 | RENESAS |
获取价格 |
8A, 40V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| 2N6666-6226 | RENESAS |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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| 2N6666-6261 | RENESAS |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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