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2N6661JTVP02

更新时间： 2024-02-07 15:16:48

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威世 - VISHAY		开关晶体管
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6页	126K
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19500/547 JANTXV2N6661P WITH PIND

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2N6661JTVP02 技术参数

是否无铅：	含铅	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BCY	包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.82	其他特性：	LOW THRESHOLD, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	90 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.86 A
最大漏极电流 (ID)：	0.86 A	最大漏源导通电阻：	4 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	10 pF
JEDEC-95代码：	TO-205AD	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	6.25 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Powers
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2N6661JTVP02 数据手册

2N6661, 2N6661-2, 2N6661JANTX, 2N6661JANTXV

www.vishay.com

Vishay Siliconix

TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

100

= 10 V

= 3 V

2.8 V

6 V

5 V

2.6 V

2.4 V

4 V

2.2 V

3 V

2 V

2.0 V

1.8 V

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

1.0

2.0

3.0

4.0

5.0

- Drain-to-Source Voltage (V)

Ohmic Region Characteristics

Output Characteristics for Low Gate Drive

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

125 °C

V = 15 V

= - 55 °C

25 °C

1.0 A

0.5 A

= 0.1 A

- Gate-Source Voltage (V)

Transfer Characteristics

On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage

2.25

2.00

1.75

1.50

1.25

1.00

0.75

= 10 V

0.50

- 50

- 10

110

150

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

- Junction Temperature (°C)

- Drain Current (A)

On-Resistance vs. Drain Current

Normalized On-Resistance

vs. Junction Temperature

S11-1542-Rev. D, 01-Aug-11

Document Number: 70225

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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