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2N6661M1A

更新时间： 2024-01-08 01:38:02

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描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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2N6661M1A 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.71
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE, LOW THRESHOLD
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	90 V	最大漏极电流 (ID)：	1 A
最大漏源导通电阻：	4 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-257AA	JESD-30 代码：	R-MSFM-P3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	3 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N6661M1A 数据手册

N-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE POWER MOSFET

2N6661M1A

= 90V , I = 1.0A, R

•

= 4.0ꢀ

DSS

Fast Switching

DS(ON)

•

Low Threshold Voltage (Logic Level)

Low C

ISS

•

Integral Source-Drain Body Diode

Hermetic Metal TO-257AA Package

High Reliability Screening Options Available

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)

Drain – Source Voltage

Gate – Source Voltage

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current ⁽¹⁾

Total Power Dissipation at

90V

20V

T = 25°C

1.0A

3.0A

T ≤ 25°C

8.33W

De-rate T > 25°C

66.7mW/°C

-55 to +150°C

-65 to +150°C

Operating Temperature Range

Storage Temperature Range

stg

THERMAL PROPERTIES

Symbols

Parameters

Max.

Units

Thermal Resistance, Junction To Case

°C/W

θJC

Notes

(1) Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature

(2) Pulse Width ≤ 300us, δ ≤ 2%

Semelab Limited reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice.

Information furnished by Semelab is believed to be both accurate and reliable at the time of going to press. However

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Document Number 9006

Issue 1

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