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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.72 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 10 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 65 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | VCEsat-Max： | 3 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6667-6203 | RENESAS |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| 2N6667-6226 | RENESAS |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| 2N6667-6255 | RENESAS |
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10A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| 2N6667-6258 | RENESAS |
获取价格 |
10A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| 2N6667-6261 | RENESAS |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| 2N6667-6265 | RENESAS |
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10A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| 2N6667A | MOTOROLA |
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10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| 2N6667AF | ONSEMI |
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10A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, 3 PIN |
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| 2N6667AJ | ONSEMI |
获取价格 |
10A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, 3 PIN |
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| 2N6667AK | ONSEMI |
获取价格 |
10A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, 3 PIN |
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