2N6667AK

更新时间： 2024-02-27 05:05:58

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安森美 - ONSEMI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	77K
描述
10A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, 3 PIN

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2N6667AK 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.72	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	10 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	1000
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
功耗环境最大值：	65 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	20 MHz
Base Number Matches：	1

2N6667AK 数据手册

ON Semiconductor⁾

2N6667

2N6668

Darlington Silicon

Power Transistors

. . . designed for general–purpose amplifier and low speed

switching applications.

PNP SILICON

DARLINGTON

POWER TRANSISTORS

10 AMPERES

• High DC Current Gain —

= 3500 (Typ) @ I = 4 Adc

• Collector–Emitter Sustaining Voltage — @ 200 mAdc

= 60 Vdc (Min) — 2N6667

60–80 VOLTS

65 WATTS

CEO(sus)

= 80 Vdc (Min) — 2N6668

• Low Collector–Emitter Saturation Voltage —

= 2 Vdc (Max)@ I = 5 Adc

CE(sat)

• Monolithic Construction with Built–In Base–Emitter Shunt Resistors

• TO–220AB Compact Package

• Complementary to 2N6387, 2N6388

STYLE 1:

COLLECTOR

PIN 1. BASE

2. COLLECTOR

3. EMITTER

4. COLLECTOR

CASE 221A–09

TO–220AB

BASE

[ 8 k

[ 120

EMITTER

Figure 1. Darlington Schematic

Symbol

MAXIMUM RATINGS (1)

Rating

2N6667

2N6668

Unit

Vdc

Adc

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

CEO

Collector Current — Continuous

— Peak

Base Current

250

mAdc

Total Device Dissipation @ T = 25_C

0.52

watts

W/_C

Watts

W/_C

Derate above 25_C

Total Device Dissipation @ T = 25_C

Derate above 25_C

0.016

Operating and Storage Junction Temperature Range

T , T

J stg

–65 to +150

(1) Indicates JEDEC Registered Data.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2002

Publication Order Number:

April, 2002 – Rev. 4

2N6667/D

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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