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2N6668

更新时间： 2024-01-12 09:02:59
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 77K
描述
DARLINGTON POWER TRANSISTORS(PNP SILICON )

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2N6668 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.71Base Number Matches：1

2N6668 数据手册

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ON Semiconductor)  
2N6667  
2N6668  
Darlington Silicon  
Power Transistors  
. . . designed for general–purpose amplifier and low speed  
switching applications.  
PNP SILICON  
DARLINGTON  
POWER TRANSISTORS  
10 AMPERES  
• High DC Current Gain —  
h
= 3500 (Typ) @ I = 4 Adc  
FE  
• Collector–Emitter Sustaining Voltage — @ 200 mAdc  
= 60 Vdc (Min) — 2N6667  
C
60–80 VOLTS  
65 WATTS  
V
CEO(sus)  
= 80 Vdc (Min) — 2N6668  
• Low Collector–Emitter Saturation Voltage —  
= 2 Vdc (Max)@ I = 5 Adc  
V
CE(sat)  
C
• Monolithic Construction with Built–In Base–Emitter Shunt Resistors  
• TO–220AB Compact Package  
4
• Complementary to 2N6387, 2N6388  
STYLE 1:  
COLLECTOR  
PIN 1. BASE  
2. COLLECTOR  
3. EMITTER  
1
4. COLLECTOR  
2
3
CASE 221A–09  
TO–220AB  
BASE  
[ 8 k  
[ 120  
EMITTER  
Figure 1. Darlington Schematic  
Symbol  
MAXIMUM RATINGS (1)  
Rating  
2N6667  
60  
2N6668  
80  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
V
60  
80  
CB  
EB  
V
5
Collector Current — Continuous  
— Peak  
I
C
10  
15  
Base Current  
I
B
250  
mAdc  
Total Device Dissipation @ T = 25_C  
P
65  
0.52  
watts  
W/_C  
Watts  
W/_C  
C
D
Derate above 25_C  
Total Device Dissipation @ T = 25_C  
P
D
2
A
Derate above 25_C  
0.016  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
T , T  
J stg  
–65 to +150  
_C  
(1) Indicates JEDEC Registered Data.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2002  
1
Publication Order Number:  
April, 2002 – Rev. 4  
2N6667/D  
12345678

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2N6668 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
TIP41CG ONSEMI

完全替代

 Complementary Silicon Plastic Power Transistors
TIP127G ONSEMI

完全替代

 Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors
TIP32CG ONSEMI

类似代替

 Complementary Silicon Plastic Power Transistors

与2N6668相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N666816 MOTOROLA

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 		10A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2N666816A MOTOROLA

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 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast
2N6668-6200 RENESAS

获取价格

 		10A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2N6668-6203 RENESAS

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast
2N6668-6226 RENESAS

获取价格

 		10A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2N6668-6258 RENESAS

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 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast
2N6668-6261 RENESAS

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast
2N6668-6263 RENESAS

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 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast
2N6668AF MOTOROLA

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 		10A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2N6668AJ ONSEMI

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 		10A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, 3 PIN

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