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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | End Of Life |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.25 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 10 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6668L | MOTOROLA |
获取价格 |
10A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| 2N6668LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| 2N6668N | MOTOROLA |
获取价格 |
10A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| 2N6668S | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| 2N6668T | MOTOROLA |
获取价格 |
10A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| 2N6668TIN/LEAD | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, |
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| 2N6668UA | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| 2N6668WD | MOTOROLA |
获取价格 |
10A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| 2N6671 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N6671 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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