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2N6672

更新时间： 2024-01-17 19:56:36

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SAVANTIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	112K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N6672 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-204AA
包装说明：	TO-3, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.31	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	8 A	集电极-发射极最大电压：	350 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	10
JEDEC-95代码：	TO-3	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN (315)	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	15 MHz

2N6672 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N6671 2N6672 2N6673

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·Low saturation voltage

·Fast switching speed

·High voltage ratings

APPLICATIONS

·Off-line power supplies

·High-voltage inverters

·Switching regulators

PINNING

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=ꢀ )

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

450

550

650

300

350

400

UNIT

2N6671

2N6672

2N6673

2N6671

2N6672

2N6673

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

ꢀ

Collector current-peak

Base current

P_D

T_j

Total Power Dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25ꢀ

150

200

-65~200

T_stg

ꢀ

12 3

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