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2N6672

更新时间: 2024-02-13 22:54:14
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美高森美 - MICROSEMI /
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1页 97K
描述
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 350V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL CAN-2

2N6672 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-204AA
包装说明:TO-3, 2 PIN针数:2
Reach Compliance Code:not_compliantHTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.31外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):8 A集电极-发射极最大电压:350 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):10
JEDEC-95代码:TO-3JESD-30 代码:O-MBFM-P2
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:MATTE TIN (315)端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:10
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):15 MHz

2N6672 数据手册

  
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer  

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