5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-3 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.05 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 15 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 400 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 8 | JEDEC-95代码： | TO-3 |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 175 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500/537 | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 15 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2N6675LEADFREE | CENTRAL |
功能相似  |
Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6675LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
|
| 2N6676 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2N6676 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2N6676 | CENTRAL |
获取价格 |
NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
|
| 2N6676 | MOSPEC |
获取价格 |
POWER TRANSISTORS(15A,175W) |
|
| 2N6676 | BOCA |
获取价格 |
NPN SILICON POWER TRANSISTORS |
|
| 2N6676 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN Darlington Transistors |
|
| 2N6676 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package. |
|
| 2N6676 | NJSEMI |
获取价格 |
15 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTORS |
|
| 2N6677 | CENTRAL |
获取价格 |
NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
