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2N6674

更新时间： 2024-01-19 04:04:37

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锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管局域网
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3页	42K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N6674 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.65
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	15 A
集电极-发射极最大电压：	300 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	8	JEDEC-95代码：	TO-3
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	15 MHz	Base Number Matches：	1

2N6674 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N6674 2N6675

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·High voltage,high speed

APPLICATIONS

·Switching regulators

·Inverters

·Solenoid and relay drivers

·Deflection circuits

PINNING

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

450

650

300

400

UNIT

2N6674

2N6675

2N6674

2N6675

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

Base current

Open collector

I_B

T_a=25℃

T_C=25℃

P_T

Total Power Dissipation

175

200

-65~200

T_j

Junction temperature

Storage temperature

℃

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance junction to case

1.0

℃/W

12 3

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