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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | METAL CAN-2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.09 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 15 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 350 V | 配置： | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 8 | JEDEC-95代码： | TO-3 |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | JESD-609代码： | e0 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 175 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 15 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2N5877 | MICROSEMI |
功能相似  |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
|
| 2N6673 | MICROSEMI |
功能相似 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 400V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
|
| 2N6328 | MICROSEMI |
功能相似 |
NPN Transistor(30A, 100V) |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6678 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2N6678 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2N6678 | SEME-LAB |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE NPN POWER TRANSISTOR |
|
| 2N6678 | CENTRAL |
获取价格 |
NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
|
| 2N6678 | MOSPEC |
获取价格 |
POWER TRANSISTORS(15A,175W) |
|
| 2N6678 | BOCA |
获取价格 |
NPN SILICON POWER TRANSISTORS |
|
| 2N6678 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN Darlington Transistors |
|
| 2N6678 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 400V 15A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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| 2N6678C | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 400V 15A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
|
| 2N6678M3A | SEME-LAB |
获取价格 |
SILICON MULTI-EPITAXIAL NPN TRANSISTOR |
|
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