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2N6678

更新时间： 2024-11-28 05:57:43

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
3页	118K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N6678 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.53
Base Number Matches：	1

2N6678 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N6676 2N6677 2N6678

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·High voltage capability

·Fast switching speeds

·Low saturation voltage

APPLICATIONS

Designed for high voltage switching

applications such as :

·Off-line power supplies

·Converter circuits

·Pulse width modulated regulators

PINNING (See Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

450

550

650

300

350

400

UNIT

2N6676

2N6677

2N6678

2N6676

2N6677

2N6678

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

Collector current-peak

Base current

P_T

T_j

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_c=25℃

175

200

-65~200

℃

T_stg

12 3

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与2N6678相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N6678C	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 400V 15A 3-Pin(2+Tab) TO-3
2N6678M3A	SEME-LAB	获取价格	SILICON MULTI-EPITAXIAL NPN TRANSISTOR
2N6678MP	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 400V 15A 3-Pin(2+Tab) TO-3
2N6679	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 70MA I(C) \| SOT-100
2N6686	SAVANTIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2N6686	NJSEMI	获取价格	SI NPN POWER BJT
2N6686	SEME-LAB	获取价格	Bipolar NPN Device
2N6686_05	SEME-LAB	获取价格	NPN BIPOLAR MULTI-EPITAXIAL POWER TRANSISTOR
2N6686E3	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 160V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL
2N6687	SEME-LAB	获取价格	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package