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2N6677

更新时间： 2024-09-26 07:29:11
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CENTRAL 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 572K
描述
NPN SILICON POWER TRANSISTOR

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2N6677 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-204AA
包装说明：TO-3, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.1
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：15 A
集电极-发射极最大电压：350 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：8JEDEC-95代码：TO-3
JESD-30 代码：O-MBFM-P2元件数量：1
端子数量：2封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：PIN/PEG
端子位置：BOTTOM晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：3 MHz
Base Number Matches：1

2N6677 数据手册

 浏览型号2N6677的Datasheet PDF文件第2页 
2N6676  
2N6677  
2N6678  
www.centralsemi.com  
DESCRIPTION:  
NPN SILICON  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N6676 SERIES  
types are NPN Silicon Power Transistors designed for  
high voltage switching applications.  
POWER TRANSISTOR  
MARKING: FULL PART NUMBER  
TO-3 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
2N6676  
450  
2N6677  
550  
2N6678  
650  
UNITS  
V
C
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
CEV  
CEO  
EBO  
V
V
300  
350  
400  
V
V
8.0  
Continuous Collector Current  
Peak Collector Current  
I
15  
20  
A
C
I
A
CM  
Continuous Base Current  
Power Dissipation  
I
5.0  
A
B
P
175  
W
D
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T , T  
-65 to +200  
1.0  
°C  
°C/W  
J
stg  
Θ
JC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
UNITS  
I
I
I
V
V
V
=Rated V  
=Rated V  
=8.0V  
, V  
=1.5V  
=1.5V, T =100°C  
100  
1.0  
2.0  
μA  
CEV  
CEV  
EBO  
CE  
CE  
EB  
CEV BE(off)  
, V  
CEV BE(off)  
mA  
mA  
V
C
BV  
BV  
BV  
I =200mA (2N6676)  
300  
350  
400  
CEO  
CEO  
C
I =200mA (2N6677)  
V
C
I =200mA (2N6678)  
V
CEO  
C
V
V
I =15A, I =3.0A  
1.5  
1.5  
V
CE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
B
I =15A, I =3.0A  
V
C
B
h
V
=3.0V, I =15A  
8.0  
3.0  
CE  
CB  
CE  
C
C
V
V
=10V, I =0, f=1.0MHz  
500  
10  
pF  
MHz  
μs  
ob  
E
f
t
t
t
t
=10V, I =1.0A, f=5.0MHz  
t
C
0.1  
0.6  
2.5  
0.5  
d
r
V
=200V, I =15A, I =I =3.0A  
B1 B2  
CC  
C
μs  
t =20μs, Duty Cycle≤2.0%  
p
μs  
s
f
V
≈6.0V, R =13.5Ω  
BB  
L
μs  
R0 (26-July 2010)  
12

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