5秒后页面跳转
2N6678 PDF预览

2N6678

更新时间: 2024-11-27 21:53:31
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体晶体管达林顿晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 348K
描述
NPN Darlington Transistors

2N6678 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-3
包装说明:TO-3, 2 PIN针数:2
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.06最大集电极电流 (IC):15 A
集电极-发射极最大电压:400 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):8JEDEC-95代码:TO-204AA
JESD-30 代码:O-MBFM-P2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:PIN/PEG端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2N6678 数据手册

 浏览型号2N6678的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2N6678的Datasheet PDF文件第3页 

与2N6678相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N6678C NJSEMI

获取价格

Trans GP BJT NPN 400V 15A 3-Pin(2+Tab) TO-3
2N6678M3A SEME-LAB

获取价格

SILICON MULTI-EPITAXIAL NPN TRANSISTOR
2N6678MP NJSEMI

获取价格

Trans GP BJT NPN 400V 15A 3-Pin(2+Tab) TO-3
2N6679 ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 70MA I(C) | SOT-100
2N6686 SAVANTIC

获取价格

Silicon NPN Power Transistors
2N6686 NJSEMI

获取价格

SI NPN POWER BJT
2N6686 SEME-LAB

获取价格

Bipolar NPN Device
2N6686_05 SEME-LAB

获取价格

NPN BIPOLAR MULTI-EPITAXIAL POWER TRANSISTOR
2N6686E3 MICROSEMI

获取价格

Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 160V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL
2N6687 SEME-LAB

获取价格

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package