是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.1 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 15 A |
基于收集器的最大容量: | 500 pF | 集电极-发射极最大电压: | 350 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 8 |
JEDEC-95代码: | TO-3 | JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 200 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | NPN | 功耗环境最大值: | 175 W |
最大功率耗散 (Abs): | 175 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | PIN/PEG |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 15 MHz | 最大关闭时间(toff): | 3000 ns |
最大开启时间(吨): | 700 ns | VCEsat-Max: | 1 V |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N6678 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors | |
2N6678 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors | |
2N6678 | SEME-LAB |
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HIGH VOLTAGE NPN POWER TRANSISTOR | |
2N6678 | CENTRAL |
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NPN SILICON POWER TRANSISTOR | |
2N6678 | MOSPEC |
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POWER TRANSISTORS(15A,175W) | |
2N6678 | BOCA |
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NPN SILICON POWER TRANSISTORS | |
2N6678 | MICROSEMI |
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NPN Darlington Transistors | |
2N6678 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 400V 15A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | |
2N6678C | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 400V 15A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | |
2N6678M3A | SEME-LAB |
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SILICON MULTI-EPITAXIAL NPN TRANSISTOR |