5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | LEAD FREE, CASE 221A-09, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 0.73 |
| Samacsys Confidence： | 3 | Samacsys Status： | Released |
| Samacsys PartID： | 224337 | Samacsys Pin Count： | 3 |
| Samacsys Part Category： | Transistor | Samacsys Package Category： | Transistor Outline, Vertical |
| Samacsys Footprint Name： | TO-220 CASE221A-09 | Samacsys Released Date： | 2015-11-03 12:30:39 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 10 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2N6667 | ONSEMI |
类似代替  |
Darlington Silicon Power Transistors |
|
| 2N6667 | CENTRAL |
功能相似 |
NPN SILICON TRANSISTOR |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6667L | MOTOROLA |
获取价格 |
10A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
| 2N6667LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| 2N6667N | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| 2N6667S | MOTOROLA |
获取价格 |
10A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
| 2N6667T | MOTOROLA |
获取价格 |
10A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
| 2N6667U | MOTOROLA |
获取价格 |
10A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
| 2N6667U2 | MOTOROLA |
获取价格 |
10A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
| 2N6667W | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| 2N6667WD | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| 2N6668 | CENTRAL |
获取价格 |
NPN SILICON TRANSISTOR |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
