2N6667AK

更新时间： 2024-02-07 19:53:41

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安森美 - ONSEMI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	77K
描述
10A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, 3 PIN

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2N6667AK 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.72	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	10 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	1000
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
功耗环境最大值：	65 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	20 MHz
Base Number Matches：	1

2N6667AK 数据手册

2N6667 2N6668

10,000

5000

300

= 25°C

2000

1000

200

500

= 25°C

= 4 VOLTS

= 3 AMPS

200

100

0.1

20 30 50 70 100 200 300 500 1000

0.2

0.5

10 20

100

f, FREQUENCY (kHz)

V , REVERSE VOLTAGE (VOLTS)

Figure 7. Typical Small–Signal Current Gain

Figure 8. Typical Capacitance

20,000

2.6

2.2

1.8

1.4

= 3 V

= 25°C

10,000

7000

= 150°C

= 2 A

4 A

6 A

5000

3000

2000

= 25°C

1000

700

500

= - 55°C

300

200

0.6

0.1

0.2 0.3

0.5 0.7

0.3

0.5 0.7

20 30

I , COLLECTOR CURRENT (AMPS)

I , BASE CURRENT (mA)

Figure 9. Typical DC Current Gain

Figure 10. Typical Collector Saturation Region

+ā5

FEĂ

+ā4

+ā3

+ā2

+ā1

@ĂV

+Ă 3.0ĂV

CEĂ

*I /I

C B

≤

= 25°C

2.5

25°C to 150°C

-ā55°C to 25°C

1.5

@ I /I = 250

C B

BE(sat)

-ā1

for V

CE(sat)

-ā2

-ā3

25°C to 150°C

@ V = 3 V

for V

-ā55°C to 25°C

-ā4

-ā5

@ I /I = 250

C B

CE(sat)

0.5

0.1

0.2 0.3

0.5 0.7

0.1

0.2 0.3

0.5 0.7

I , COLLECTOR CURRENT (AMPS)

I , COLLECTOR CURRENT (AMP)

Figure 11. Typical “On” Voltages

Figure 12. Typical Temperature Coefficients

http://onsemi.com

1 2 345 6 7 8

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