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2N6667BS

更新时间： 2024-02-09 11:33:32

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		局域网放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	147K
描述
TRANSISTOR 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, 3 PIN, BIP General Purpose Power

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技术参数
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2N6667BS 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	TO-220AB, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.79	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	10 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2N6667BS 数据手册

2N6667, 2N6668

Darlington Silicon

Power Transistors

Designed for general−purpose amplifier and low speed switching

applications.

• High DC Current Gain −

http://onsemi.com

= 3500 (Typ) @ I = 4.0 Adc

• Collector−Emitter Sustaining Voltage − @ 200 mAdc

PNP SILICON

DARLINGTON

= 60 Vdc (Min) − 2N6667

= 80 Vdc (Min) − 2N6668

CEO(sus)

• Low Collector−Emitter Saturation Voltage −

= 2.0 Vdc (Max)@ I = 5.0 Adc

• Monolithic Construction with Built−In Base−Emitter Shunt Resistors

• TO−220AB Compact Package

• Complementary to 2N6387, 2N6388

• Pb−Free Packages are Available*

POWER TRANSISTORS

10 A, 60−80 V, 65 W

CE(sat)

MARKING

DIAGRAM

STYLE 1:

PIN 1. BASE

2N666x

AYWWG

2. COLLECTOR

3. EMITTER

4. COLLECTOR

COLLECTOR

CASE 221A−09

TO−220AB

BASE

= 7 or 8

= Assembly Location

= Year

≈ 8 k

≈ 120

WW = Work Week

= Pb−Free Package

EMITTER

Figure 1. Darlington Schematic

ORDERING INFORMATION

Device

2N6667

Package

Shipping

50 Units/Rail

TO−220AB

2N6667G

TO−220AB

(Pb−Free)

2N6668

TO−220AB

50 Units/Rail

2N6668G

TO−220AB

(Pb−Free)

*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please

download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques

Reference Manual, SOLDERRM/D.

Publication Order Number:

October, 2011 − Rev. 7

2N6667/D

12 3 4 5 6

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与2N6667BS相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N6667BU	ONSEMI	TRANSISTOR 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, 3 PIN, BIP General Purpose Pow	获取价格
2N6667C	MOTOROLA	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast	获取价格
2N6667D1	MOTOROLA	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast	获取价格
2N6667-DR6260	RENESAS	10A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB	获取价格
2N6667-DR6269	RENESAS	10A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB	获取价格
2N6667-DR6274	RENESAS	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast	获取价格