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2N6660X

更新时间： 2024-02-24 13:40:53

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SEME-LAB		晶体晶体管开关脉冲
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2页	37K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR

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2N6660X 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.88
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	1.1 A
最大漏源导通电阻：	3 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-39	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	3 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

2N6660X 数据手册

2N6660X

MECHANICAL DATA

Dimensions in mm (inches)

N–CHANNEL

ENHANCEMENT MODE

MOS TRANSISTOR

8.89 (0.35)

9.40 (0.37)

7.75 (0.305)

8.51 (0.335)

4.19 (0.165)

4.95 (0.195)

FEATURES

0.89

(0.035)

max.

• Switching Regulators

• Converters

12.70

(0.500)

min.

7.75 (0.305)

8.51 (0.335)

dia.

• Motor Drivers

5.08 (0.200)

typ.

2.54

(0.100)

0.66 (0.026)

1.14 (0.045)

0.71 (0.028)

0.86 (0.034)

45˚

TO–39 METAL PACKAGE

Underside View

PIN 1 – Source

PIN 2 – Gate

PIN 3 – Drain

CASE – Drain

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

= 25°C unless otherwise stated)

CASE

Drain – Source Voltage

Gate – Source Voltage

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current *

Power Dissipation

60V

40V

@ T

= 25°C

1.1A

CASE

@ T

= 100°C

0.8A

CASE

@ T

= 25°C

6.25W

2.5W

CASE

Power Dissipation

= 100°C

CASE

Operating Junction Temperature Range

–55 to 150°C

300°C

Storage Temperature Range

stg

Lead Temperature ( / ” from case for 10 sec.)

Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.

E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk

DOC: 7083 iss 1

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