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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.71 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 90 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.9 A |
| 最大漏源导通电阻： | 4 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N6661_10 | SEME-LAB | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| 2N6661_11 | VISHAY | N-Channel 90 V (D-S) MOSFET |
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| 2N6661-2 | VISHAY | N-Channel 90 V (D-S) MOSFET |
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| 2N6661B-2 | VISHAY | Power Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 90V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
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| 2N6661CSM4 | SEME-LAB | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| 2N6661DCSM | SEME-LAB | DUAL N–CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
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