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2N6661CSM4

更新时间： 2024-02-13 15:15:59

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SEME-LAB		晶体晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
2页	87K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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2N6661CSM4 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-CDSO-N4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.71
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	90 V	最大漏极电流 (ID)：	0.9 A
最大漏源导通电阻：	5.3 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	MO-041BA	JESD-30 代码：	R-CDSO-N4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	3 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N6661CSM4 数据手册

2N6661CSM4

MECHANICAL DATA

N–CHANNEL

ENHANCEMENT MODE

MOSFET

Dimensions in mm (inches)

1.40 0.15

(0.055 0.006)

5.59 0.13

(0.22 0.005)

0.25 0.03

(0.01 0.001)

0.23

(0.009)

rad.

V_DSS

I_D

R_DS(on)

90V

0.9A

4.0Ω

0.23

(0.009)

min.

FEATURES

1.02 0.20

2.03 0.20

(0.04 0.00ꢀ)

(0.0ꢀ 0.00ꢀ)

•

Faster switching

Low Ciss

Integral Source-Drain Diode

High Input Impedance and High Gain

CERAMIC LCC3 PACKAGE (MO-041BA)

(Underside View)

DESCRIPTION

PAD 1 – DRAIN

PAD 2 – N/C

PAD 3 – SOURCE

PAD 4 – GATE

This enhancement-mode (normally-off) vertical DMOS FET is

ideally suited to a wide range of switching and amplifying

applications where high breakdown voltage, high input

impedance, low input capacitance, and fast switching speeds

are desired.

High Reliability Screening options are available.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_CASE= 25°C unless otherwise stated

V_DS

Drain - Source Voltage

90V

0.9A

I_D

Drain Current

- Continuous (T_C= 25°C)

- Continuous (T_C= 100°C)

- Pulsed (Note 1)

0.7A

I_DM

Drain Current

V_GS

P_tot(1)

Gate - Source Voltage

20V

Total Power Dissipation at T_mb≤ 25°C

De-rate Linearly above 25°C

6.25W

0.050W/°C

0.5W

P_tot(2)

Total Power Dissipation at T_amb≤ 25°C

Operating and Storage Junction Temperature Range

T_j,T_stg

-55 to +150°C

THERMAL DATA

R_thj-mb

Thermal Resistance Junction – Mounting base

Max

250

°C/W

R_thj-amb

Thermal Resistance Junction - Ambient

NOTES:

1) Repetitive Rating: Pulse Width limited by maximum junction temperature.

2) Pulse Test: Pulse Width ≤ 3ꢀ0µS, Duty Cycle , δ 2%

Semelab Plc reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice. Information furnished by Semelab is believed to be

both accurate and reliable at the time of going to press. However Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use. Semelab

encourages customers to verify that datasheets are current before placing orders.

DOC 3779, ISSUE 3

Semelab plc. ^{Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.}

E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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