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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6661_10 | SEME-LAB |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| 2N6661_11 | VISHAY |
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N-Channel 90 V (D-S) MOSFET |
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| 2N6661-2 | VISHAY |
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N-Channel 90 V (D-S) MOSFET |
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| 2N6661B-2 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 90V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
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| 2N6661CSM4 | SEME-LAB |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| 2N6661DCSM | SEME-LAB |
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DUAL N–CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
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| 2N6661JANTX | VISHAY |
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N-Channel 90 V (D-S) MOSFET |
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| 2N6661JANTXV | VISHAY |
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N-Channel 90 V (D-S) MOSFET |
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| 2N6661JTVP02 | VISHAY |
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19500/547 JANTXV2N6661P WITH PIND |
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| 2N6661M1A | SEME-LAB |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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