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2N6661

更新时间： 2024-11-24 22:35:55
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威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
4页 48K
描述
N-Channel 80-V and 90-V (D-S) MOSFETS

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2N6661 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Transferred零件包装代码：BCY
包装说明：,针数：2
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.09
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：2 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码：e0
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：6.25 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches：1

2N6661 数据手册

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2N6661/VN88AFD  
Vishay Siliconix  
N-Channel 80-V and 90-V (D-S) MOSFETS  
PRODUCT SUMMARY  
Part Number V(BR)DSS Min (V) rDS(on) Max (W)  
VGS(th) (V)  
ID (A)  
2N6661  
90  
80  
4 @ V = 10 V  
0.8 to 2  
0.9  
GS  
VN88AFD  
4 @ V = 10 V  
GS  
0.8 to 2.5  
1.29  
FEATURES  
BENEFITS  
APPLICATIONS  
D Low On-Resistance: 3.6 W  
D Low Threshold: 1.6 V  
D Low Offset Voltage  
D Direct Logic-Level Interface: TTL/CMOS  
D Low-Voltage Operation  
D Easily Driven Without Buffer  
D High-Speed Circuits  
D Low Error Voltage  
D Drivers: Relays, Solenoids, Lamps,  
Hammers, Displays, Memories, Transistors,  
etc.  
D Low Input Capacitance: 35 pF  
D Fast Switching Speed: 6 ns  
D Low Input and Output Leakage  
D Battery Operated Systems  
D Solid-State Relays  
TO-220SD  
(Tab-Drain)  
D
TO-205AD  
(TO-39)  
S
Device Marking  
Side View  
Device Marking  
Front View  
1
2
2N6661  
“S” fllxxyy  
G
VN88AFD  
“S” xxyy  
“S” = Siliconix Logo  
f = Factory Code  
ll = Lot Traceability  
xxyy = Date Code  
“S” = Siliconix Logo  
xxyy = Date Code  
3
G
D
S G D  
S
Top View  
2N6661  
Front View  
VN88AFD  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
2N6661  
VN88AFD  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
V
90  
"20  
0.9  
80  
"30  
1.29  
0.81  
"3  
15  
DS  
GS  
V
T
= 25_C  
C
Continuous Drain Current (T = 150__C)  
I
J
D
T
C
= 100_C  
0.7  
A
a
Pulsed Drain Current  
I
"3  
6.25  
2.5  
DM  
T
T
= 25_C  
= 100_C  
C
Power Dissipation  
P
W
D
6
C
b
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
R
R
170  
thJA  
_C/W  
_C  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
8.3  
thJC  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
J
–55 to 150  
stg  
Notes  
a. Pulse width limited by maximum junction temperature.  
b. This parameter not registered with JEDEC.  
Document Number: 70224  
S-04279—Rev. C, 16-Jul-01  
www.vishay.com  
11-1  
1234

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