生命周期: | Active | 零件包装代码: | BCY |
包装说明: | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.21.00.95 | 风险等级: | 5.2 |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 60 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 0.99 A | 最大漏极电流 (ID): | 0.99 A |
最大漏源导通电阻: | 3 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss): | 10 pF | JEDEC-95代码: | TO-205AD |
JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | CYLINDRICAL |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 6.25 W |
子类别: | FET General Purpose Powers | 表面贴装: | NO |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | BOTTOM |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N6660JTXL02 | VISHAY | 19500/547 JANTX2N6660 W/SOLDER DIP |
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2N6660N2 | SUPERTEX | Transistor, |
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2N6660X | SEME-LAB | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR |
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2N6661 | VISHAY | N-Channel 80-V and 90-V (D-S) MOSFETS |
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2N6661 | NJSEMI | TMOS SWITCHING TRANSISTOR |
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2N6661 | SEME-LAB | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR |
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