5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.75 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.99 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 元件数量： | 1 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6660_07 | SUPERTEX |
获取价格 |
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
|
| 2N6660_11 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET |
|
| 2N6660-2 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET |
|
| 2N6660B | TEMIC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| 2N6660C4 | SEME-LAB |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
| 2N6660CSM4 | SEME-LAB |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR |
|
| 2N6660CSM4_0809 | SEME-LAB |
获取价格 |
N–CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
| 2N6660-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.99A 3-Pin TO-205AD |
|
| 2N6660JANTX | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET |
|
| 2N6660JANTXV | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
