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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.68 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 35 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1.4 A | 最大漏源导通电阻： | 1.8 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 10 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-205AD | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 6.25 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6660 | SUPERTEX |
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N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
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| 2N6660 | MOTOROLA |
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TMOS SWITCHING FET TRANSISTORS |
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| 2N6660 | VISHAY |
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N-Channel 60-V (D-S) Single and Quad MOSFETs |
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| 2N6660 | SEME-LAB |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
| 2N6660 | NJSEMI |
获取价格 |
TMOS SWITCHING TRANSISTOR |
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| 2N6660 | MICROCHIP |
获取价格 |
2N6660 is an enhancement-mode (normally-off) transistor that utilizes a vertical DMOS stru |
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| 2N6660 | SENSITRON |
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NCH |
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| 2N6660_07 | SUPERTEX |
获取价格 |
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
|
| 2N6660_11 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET |
|
| 2N6660-2 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET |
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