生命周期: | Obsolete | 包装说明: | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.68 | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 35 V |
最大漏极电流 (ID): | 1.4 A | 最大漏源导通电阻: | 1.8 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 10 pF |
JEDEC-95代码: | TO-205AD | JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | CYLINDRICAL |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 功耗环境最大值: | 6.25 W |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | BOTTOM | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N6660 | SUPERTEX |
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N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs | |
2N6660 | MOTOROLA |
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TMOS SWITCHING FET TRANSISTORS | |
2N6660 | VISHAY |
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N-Channel 60-V (D-S) Single and Quad MOSFETs | |
2N6660 | SEME-LAB |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | |
2N6660 | NJSEMI |
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TMOS SWITCHING TRANSISTOR | |
2N6660 | MICROCHIP |
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2N6660 is an enhancement-mode (normally-off) transistor that utilizes a vertical DMOS stru | |
2N6660 | SENSITRON |
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NCH | |
2N6660_07 | SUPERTEX |
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N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs | |
2N6660_11 | VISHAY |
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N-Channel 60 V (D-S) MOSFET | |
2N6660-2 | VISHAY |
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N-Channel 60 V (D-S) MOSFET |