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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.06 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 3 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 10 pF | JEDEC-95代码： | TO-205AD |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 6.25 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6660_07 | SUPERTEX |
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N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
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| 2N6660_11 | VISHAY |
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N-Channel 60 V (D-S) MOSFET |
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| 2N6660-2 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET |
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| 2N6660B | TEMIC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2N6660C4 | SEME-LAB |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| 2N6660CSM4 | SEME-LAB |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR |
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| 2N6660CSM4_0809 | SEME-LAB |
获取价格 |
N–CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| 2N6660-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.99A 3-Pin TO-205AD |
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| 2N6660JANTX | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET |
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| 2N6660JANTXV | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET |
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