生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-3 |
包装说明: | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.77 |
Is Samacsys: | N | 外壳连接: | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC): | 20 A | 集电极-发射极最大电压: | 400 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 10 |
JEDEC-95代码: | TO-204AA | JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型: | NPN |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子形式: | PIN/PEG | 端子位置: | BOTTOM |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 75 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N6658 | NJSEMI |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET | |
2N6658 | MUSIC |
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2N6658 | |
2N6659 | NJSEMI |
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TMOS SWITCHING TRANSISTOR | |
2N6659 | SEME-LAB |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR | |
2N6659 | MOTOROLA |
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TMOS SWITCHING FET TRANSISTORS | |
2N6659B-1 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 35V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal | |
2N6659B-2 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 35V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal | |
2N6660 | SUPERTEX |
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N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs | |
2N6660 | MOTOROLA |
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TMOS SWITCHING FET TRANSISTORS | |
2N6660 | VISHAY |
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N-Channel 60-V (D-S) Single and Quad MOSFETs |