是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.19 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE |
JEDEC-95代码: | TO-39 | JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N6659B-1 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 35V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal | |
2N6659B-2 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 35V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal | |
2N6660 | SUPERTEX |
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N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs | |
2N6660 | MOTOROLA |
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TMOS SWITCHING FET TRANSISTORS | |
2N6660 | VISHAY |
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N-Channel 60-V (D-S) Single and Quad MOSFETs | |
2N6660 | SEME-LAB |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | |
2N6660 | NJSEMI |
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TMOS SWITCHING TRANSISTOR | |
2N6660 | MICROCHIP |
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2N6660 is an enhancement-mode (normally-off) transistor that utilizes a vertical DMOS stru | |
2N6660 | SENSITRON |
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NCH | |
2N6660_07 | SUPERTEX |
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N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |