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1SS404,H3F(T

更新时间： 2024-01-26 23:35:50
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 126K
描述
Rectifier Diode

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1SS404,H3F(T 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.64应用：GENERAL PURPOSE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.45 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G2元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：100 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：0.3 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
最大功率耗散：0.2 W最大重复峰值反向电压：25 V
最大反向电流：50 µA反向测试电压：20 V
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

1SS404,H3F(T 数据手册

 浏览型号1SS404,H3F(T的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1SS404,H3F(T的Datasheet PDF文件第3页 
1SS404  
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type  
1SS404  
Unit: mm  
High Speed Switching Applications  
•
•
•
•
Two-pin small packages are suitable for higher mounting densities  
Low forward voltage: V = 0.38 V (typ.)  
F (3)  
Low reverse current: I = 50 μA (max)  
R
Small total capacitance: C = 46 pF (typ.)  
T
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Maximum (peak) reverse voltage  
Reverse voltage  
V
25  
20  
V
V
RM  
V
R
Maximum (peak) forward current  
Average forward current  
Power dissipation  
I
700  
mA  
mA  
mW  
°C  
FM  
I
300  
O
USC  
P
200 (Note 1)  
125  
Junction temperature  
T
j
Storage temperature range  
Operating temperature range  
T
−55 to 125  
−40 to 100  
°C  
stg  
opr  
JEDEC  
JEITA  
―
―
T
°C  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of  
high temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
TOSHIBA  
1-1E1A  
Weight: 0.004 g (typ.)  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are  
within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Note 1: Mounted on a glass epoxy board of 20 mm × 20 mm,  
pad dimension 4 mm × 4 mm.  
Marking  
Equivalent Circuit (top view)  
S 5  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
V
V
V
I
I
I
= 1 mA  
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
0.16  
0.22  
0.38  
⎯
⎯
⎯
F (1)  
F (2)  
F (3)  
F
F
F
Forward voltage  
= 10 mA  
= 300 mA  
0.45  
50  
Reverse current  
I
V
V
= 20 V  
μA  
R
R
R
Total capacitance  
C
T
= 0, f = 1 MHz  
46  
⎯
pF  
Start of commercial production  
1999-06  
1
2014-03-01  
123

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与1SS404,H3F(T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1SS404_07 TOSHIBA

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 		Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type
1SS404_13 MCC

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 		High Speed Switching Diode
1SS404WS SEMTECH

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 		SILICON EPITAXIAL SCHOTTKY BARRIER DIODE
1SS405 TOSHIBA

获取价格

 		High Speed Switching Application
1SS405(TL3,F,D) TOSHIBA

获取价格

 		X34 PB-F ESC SHOTTKY BARRIER DIODE (LF), IFM=300MA
1SS405(TPH3) TOSHIBA

获取价格

 		RECTIFIER DIODE,SCHOTTKY,25V V(RRM),EMD2VAR
1SS405(TPL3,F) TOSHIBA

获取价格

 		RECTIFIER DIODE,SCHOTTKY,25V V(RRM),EMD2VAR
1SS405,H3F TOSHIBA

获取价格

 		Small-Signal Schottky Barrier Diodes
1SS405,H3F(B TOSHIBA

获取价格

 		Rectifier Diode
1SS405,H3F(T TOSHIBA

获取价格

 		Rectifier Diode

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