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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | R-PDSO-F2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.71 |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | R-PDSO-F2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最大输出电流： | 0.05 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 最大功率耗散： | 0.1 W |
| 最大重复峰值反向电压： | 25 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | SCHOTTKY | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1SS413(TL3SONY) | TOSHIBA |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.05A, 25V V(RRM), Silicon |
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| 1SS413CT | TOSHIBA |
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20 V/0.05 A Schottky Barrier Diode, SOD-882(CST2) |
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| 1SS416 | TOSHIBA |
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High Speed Switching Application |
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| 1SS416(TL3ALPSP) | TOSHIBA |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.1A, 35V V(RRM), Silicon |
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| 1SS416(TL3MOT) | TOSHIBA |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.1A, 35V V(RRM), Silicon |
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| 1SS416(TL3SONY) | TOSHIBA |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.1A, 35V V(RRM), Silicon |
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| 1SS416(TPH3) | TOSHIBA |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.1A, 35V V(RRM), Silicon |
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| 1SS416(TPL3) | TOSHIBA |
获取价格 |
RECTIFIER DIODE,SCHOTTKY,35V V(RRM),EMD2VAR |
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| 1SS416,H3F(T | TOSHIBA |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.1A, 35V V(RRM), Silicon |
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| 1SS416,L3F(T | TOSHIBA |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.1A, 35V V(RRM), Silicon |
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