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1SS416,H3F(T

更新时间: 2023-02-15 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 185K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.1A, 35V V(RRM), Silicon

1SS416,H3F(T 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-F2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.83
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-F2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:100 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:0.1 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
最大功率耗散:0.1 W最大重复峰值反向电压:35 V
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子形式:FLAT端子位置:DUAL

1SS416,H3F(T 数据手册

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1SS416  
Schottky Barrier Diode Silicon Epitaxial  
1SS416  
1. Applications  
High-Speed Switching  
2. Packaging and Internal Circuit  
1: Cathode  
2: Anode  
SOD-923  
1: Cathode  
2: Anode  
fSC  
Start of commercial production  
2003-06  
2014-07-08  
Rev.3.0  
1

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