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1SS417FN2_R1_00001

更新时间： 2024-11-19 01:19:43

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强茂 - PANJIT		二极管
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描述
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER

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1SS417FN2_R1_00001 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PBCC-N2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.75
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PBCC-N2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	0.1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大功率耗散：	0.1 W
最大重复峰值反向电压：	45 V	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

1SS417FN2_R1_00001 数据手册

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P1SS417FN2

SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER

40 V

100 mA

Voltage

Current

Features

0.022(0.55)

0.017(0.45)

0.042(1.05)

0.037(0.95)

 Small package

 Low forward voltage : V_F(3)=0.51V(typ.)

 Low reverse current : I_R=5A(Max.)

 Lead free in compliance with EU RoHS2.0

(2011/65/EU & 2015/865/EU directive)

0.002(0.05)

MAX.

0.013(0.32)

0.008(0.22)

 Green molding compound as per IEC61249 Std..(Halogen Free)

Mechanical Data

 Case: DFN 2L plastic case

PIN NO.1

IDENTIFICATION

 Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026

 Approx. Weight: 0.00004 ounces, 0.0011 grams

 Marking:7F

MAXIMUM RATINS (T_A=25^oC)

PARAMETER

SYMBOL

VALUE

UNIT

Maximum (peak) reverse voltage

VRM

Peak reverse voltage

200

Maximum (peak) forward current

IFM

Average forward current

100

Surge current (10ms)

IFSM

P_D

Power dissipation

100

^oC

Operating junction and storage temperature range

TJ, TSTG

-55 to +125

May 11,2017-REV.01

Page 1

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