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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> 1SS419
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1SS419

更新时间： 2024-09-23 03:54:59
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 整流二极管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 123K
描述
High-Speed Switching Applications

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1SS419 技术参数

生命周期：Lifetime Buy包装说明：R-PDSO-F2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.56Is Samacsys：N
其他特性：HIGH SPEED SWITCH配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-F2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C最大输出电流：0.1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE最大功率耗散：0.1 W
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：TIN LEAD
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

1SS419 数据手册

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1SS419  
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type  
1SS419  
High-Speed Switching Applications  
Unit: mm  
•
•
•
Small package  
Low forward voltage: V  
= 0.56 V (typ.)  
F (3)  
Low reverse current: I = 5 μA (max)  
R
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
sESC  
Maximum (peak) reverse voltage  
Reverse voltage  
V
45  
40  
V
V
RM  
V
R
Maximum (peak) forward current  
Average forward current  
Surge current (10 ms)  
I
200  
mA  
mA  
A
FM  
I
100  
O
I
1
FSM  
P *  
Power dissipation  
100  
mW  
°C  
°C  
°C  
Junction temperature  
T
125  
j
Storage temperature range  
Operating temperature range  
T
−55~125  
−40~100  
stg  
opr  
JEDEC  
―
―
T
JEITA  
TOSHIBA  
1-1K1A  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
Weight: 0.0011 g (typ.)  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating  
conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
*
Mounted on a glass-epoxy circuit board of 20 × 20 mm,  
pad dimensions of 4 × 4 mm.  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
V
V
V
I
I
I
= 1 mA  
―
―
―
―
―
0.28  
0.36  
0.56  
―
―
―
F (1)  
F (2)  
F (3)  
F
F
F
Forward voltage  
= 10 mA  
= 50 mA  
0.62  
5
Reverse current  
I
V
V
= 40 V  
R
R
R
μA  
Total capacitance  
C
T
= 0, f = 1 MH  
15  
―
z
pF  
Equivalent Circuit (Top View)  
Marking  
X
1
2007-11-01  
123

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与1SS419相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1SS419(TPL3,F) TOSHIBA

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 		DIODE SCHOTTKY 40V 100MA 1-1K1A
1SS41HA ROHM

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.13A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35
1SS41HC ROHM

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.13A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35
1SS41HE ROHM

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.13A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35
1SS41HF ROHM

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.13A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35
1SS41HJ ROHM

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.13A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35
1SS41HL ROHM

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.13A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35
1SS41HO ROHM

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.13A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35
1SS41HS ROHM

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.13A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35
1SS41T-10 ROHM

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.13A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35

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