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1SS417CT

更新时间： 2024-11-18 12:23:03
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 整流二极管开关测试
页数 文件大小 规格书
3页 179K
描述
High Speed Switching Application

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1SS417CT 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-XBCC-N2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.63
Is Samacsys：N应用：GENERAL PURPOSE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.62 V
JESD-30 代码：R-XBCC-N2最大非重复峰值正向电流：1 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：100 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：0.1 A
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：0.1 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：45 V最大反向电流：5 µA
反向测试电压：40 V表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

1SS417CT 数据手册

 浏览型号1SS417CT的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1SS417CT的Datasheet PDF文件第3页 
1SS417CT  
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type  
1SS417CT  
High Speed Switching Application  
Unit: mm  
0.6±0.05  
• Small package  
• Low forward voltage: V  
= 0.56 V (typ.)  
F (3)  
• Low reverse current: I = 5 μA (max)  
R
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
0.5±0.03  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
+0.02  
-0.03  
0.05±0.03  
0.38  
Maximum (peak) reverse Voltage  
Reverse voltage  
V
45  
40  
V
V
RM  
V
R
Maximum (peak) forward current  
Average forward current  
Surge current (10ms)  
I
200  
mA  
mA  
A
FM  
I
100  
O
I
1
FSM  
P *  
Power dissipation  
100  
mW  
°C  
°C  
°C  
CST2  
Junction temperature  
T
125  
j
Storage temperature range  
Operating temperature range  
T
−55 to 125  
−40 to 100  
stg  
opr  
JEDEC  
JEITA  
―
―
T
TOSHIBA  
1-1P1A  
*
Mounted on a glass epoxy circuit board of 20 mm× 20 mm,  
pad dimension of 4 mm× 4 mm.  
Weight: 0.7 mg (typ.)  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even  
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Test  
Circuit  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
= 1 mA  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
V
V
V
―
I
I
I
―
―
―
―
―
0.28  
0.36  
0.56  
―
―
―
F (1)  
F (2)  
F (3)  
F
F
F
Forward voltage  
―
= 10 mA  
―
= 100 mA  
0.62  
5
Reverse current  
I
―
V
V
= 40 V  
R
R
R
μA  
Total capacitance  
C
T
―
= 0 V, f = 1 MHz  
15  
―
pF  
Marking  
Equivalent Circuit (Top View)  
X
1
2009-01-08  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1SS417CT(TPL3) TOSHIBA

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