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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> 1SS417
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1SS417

更新时间： 2024-09-23 03:54:59
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 整流二极管开关测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 149K
描述
High Speed Switching Application

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1SS417 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-F2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.46
Is Samacsys：N应用：GENERAL PURPOSE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.62 V
JESD-30 代码：R-PDSO-F2最大非重复峰值正向电流：1 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：100 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：0.1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：0.1 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：45 V最大反向电流：5 µA
反向测试电压：40 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

1SS417 数据手册

 浏览型号1SS417的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1SS417的Datasheet PDF文件第3页 
1SS417  
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type  
1SS417  
High Speed Switching Application  
Unit: mm  
0.6±0.05  
A
•
•
•
Small package  
Low forward voltage: V  
= 0.56V (typ.)  
F (3)  
Low reverse current: I = 5μA (Max.)  
R
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
0.2  
±0.05  
0.1±0.05  
0.07 M  
A
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Maximum (peak) reverse voltage  
Reverse voltage  
V
45  
40  
V
V
RM  
+0.02  
-0.03  
0.48  
V
R
Maximum (peak) forward current  
Average forward current  
Surge current (10ms)  
I
200  
mA  
mA  
A
FM  
I
100  
O
I
1
FSM  
P *  
Power dissipation  
100  
mW  
°C  
°C  
°C  
fSC  
Junction temperature  
T
125  
j
JEDEC  
JEITA  
―
―
Storage temperature range  
Operating temperature range  
T
−55~125  
−40~100  
stg  
opr  
T
TOSHIBA  
Weight: 0.6mg(typ.)  
1-1L1A  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in temperature, etc.) may cause this product to  
decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating  
temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
*
Mounted on a glass epoxy circuit board of 20 × 20 mm,  
pad dimension of 4 × 4 mm.  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Test  
Circuit  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
= 1mA  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
V
V
V
―
―
―
―
―
I
I
I
―
―
―
―
―
0.28  
0.36  
0.56  
―
―
―
F (1)  
F (2)  
F (3)  
F
F
F
Forward voltage  
= 10mA  
= 50mA  
0.62  
5
Reverse current  
I
V
V
= 40V  
R
R
R
μA  
Total capacitance  
C
T
= 0, f = 1MH  
15  
―
z
pF  
Equivalent Circuit (Top View)  
Marking  
X
1
2007-11-01  
123

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与1SS417相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1SS417(TH3SUMIK) TOSHIBA

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.1A, 45V V(RRM), Silicon
1SS417(TL3,T) TOSHIBA

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.1A, 45V V(RRM), Silicon
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1SS417(TPL3) TOSHIBA

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 		RECTIFIER DIODE,SCHOTTKY,45V V(RRM),EMD2VAR
1SS417,L3F(CA TOSHIBA

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.1A, 45V V(RRM), Silicon
1SS417,L3M TOSHIBA

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 		DIODE SCHOTTKY 40V 100MA FSC
1SS417,L3M(T TOSHIBA

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 		Rectifier Diode
1SS417_04 TOSHIBA

获取价格

 		High Speed Switching Application

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