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1SS417,L3M(T

更新时间: 2024-11-18 19:58:23
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 184K
描述
Rectifier Diode

1SS417,L3M(T 技术参数

生命周期:Active包装说明:R-PDSO-F2
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.63
应用:GENERAL PURPOSE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.62 VJESD-30 代码:R-PDSO-F2
最大非重复峰值正向电流:1 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:100 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:0.1 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
最大功率耗散:0.1 W最大重复峰值反向电压:45 V
最大反向电流:5 µA反向测试电压:40 V
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

1SS417,L3M(T 数据手册

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1SS417  
Schottky Barrier Diode Silicon Epitaxial  
1SS417  
1. Applications  
High-Speed Switching  
2. Packaging and Internal Circuit  
1: Cathode  
2: Anode  
SOD-923  
1: Cathode  
2: Anode  
fSC  
Start of commercial production  
2003-06  
2014-07-08  
Rev.3.0  
1

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