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1SS417(TL3,T)

更新时间： 2024-11-18 20:37:31
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 130K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.1A, 45V V(RRM), Silicon

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1SS417(TL3,T) 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-PDSO-F2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：7.71
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-F2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：100 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：0.1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
最大功率耗散：0.1 W最大重复峰值反向电压：45 V
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

1SS417(TL3,T) 数据手册

 浏览型号1SS417(TL3,T)的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1SS417(TL3,T)的Datasheet PDF文件第3页 
1SS417  
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type  
1SS417  
High Speed Switching Application  
Unit: mm  
0.6±0.05  
A
•
•
•
Small package  
Low forward voltage: V  
= 0.56V (typ.)  
F (3)  
Low reverse current: I = 5μA (Max.)  
R
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
0.2  
±0.05  
0.1±0.05  
0.07 M  
A
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Maximum (peak) reverse voltage  
Reverse voltage  
V
45  
40  
V
V
RM  
+0.02  
-0.03  
0.48  
V
R
Maximum (peak) forward current  
Average forward current  
Surge current (10ms)  
I
200  
mA  
mA  
A
FM  
I
100  
O
I
1
FSM  
P *  
Power dissipation  
100  
mW  
°C  
°C  
°C  
fSC  
Junction temperature  
T
125  
j
JEDEC  
JEITA  
―
―
Storage temperature range  
Operating temperature range  
T
−55~125  
−40~100  
stg  
opr  
T
TOSHIBA  
Weight: 0.6mg(typ.)  
1-1L1A  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in temperature, etc.) may cause this product to  
decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating  
temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
*
Mounted on a glass epoxy circuit board of 20 × 20 mm,  
pad dimension of 4 × 4 mm.  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Test  
Circuit  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
= 1mA  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
V
V
V
―
―
―
―
―
I
I
I
―
―
―
―
―
0.28  
0.36  
0.56  
―
―
―
F (1)  
F (2)  
F (3)  
F
F
F
Forward voltage  
= 10mA  
= 50mA  
0.62  
5
Reverse current  
I
V
V
= 40V  
R
R
R
μA  
Total capacitance  
C
T
= 0, f = 1MH  
15  
―
z
pF  
Equivalent Circuit (Top View)  
Marking  
X
1
2007-11-01  
123

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与1SS417(TL3,T)相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1SS417(TL3OME5) TOSHIBA

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.1A, 45V V(RRM), Silicon
1SS417(TL3PC) TOSHIBA

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.1A, 45V V(RRM), Silicon
1SS417(TL3SMMD) TOSHIBA

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.1A, 45V V(RRM), Silicon
1SS417(TPL3) TOSHIBA

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 		RECTIFIER DIODE,SCHOTTKY,45V V(RRM),EMD2VAR
1SS417,L3F(CA TOSHIBA

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.1A, 45V V(RRM), Silicon
1SS417,L3M TOSHIBA

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 		DIODE SCHOTTKY 40V 100MA FSC
1SS417,L3M(T TOSHIBA

获取价格

 		Rectifier Diode
1SS417_04 TOSHIBA

获取价格

 		High Speed Switching Application
1SS417CT TOSHIBA

获取价格

 		High Speed Switching Application
1SS417CT(TPL3) TOSHIBA

获取价格

 		Schottky (Diodes & Rectifiers) Hi-Speed 40V 100mA

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