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1SS417(TPL3)

更新时间： 2024-11-18 14:46:11
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 135K
描述
RECTIFIER DIODE,SCHOTTKY,45V V(RRM),EMD2VAR

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1SS417(TPL3) 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.63
配置：SINGLE二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.62 V最大非重复峰值正向电流：1 A
元件数量：1最高工作温度：100 °C
最大输出电流：0.1 A最大重复峰值反向电压：45 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKYBase Number Matches：1

1SS417(TPL3) 数据手册

 浏览型号1SS417(TPL3)的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1SS417(TPL3)的Datasheet PDF文件第3页 
1SS417  
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type  
1SS417  
High Speed Switching Application  
Unit: mm  
0.6±0.05  
A
•
•
•
Small package  
Low forward voltage: V  
= 0.56V (typ.)  
F (3)  
Low reverse current: I = 5μA (Max.)  
R
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
0.2  
±0.05  
0.1±0.05  
0.07 M  
A
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Maximum (peak) reverse voltage  
Reverse voltage  
V
45  
40  
V
V
RM  
+0.02  
-0.03  
0.48  
V
R
Maximum (peak) forward current  
Average forward current  
Surge current (10ms)  
I
200  
mA  
mA  
A
FM  
I
100  
O
I
1
FSM  
P *  
Power dissipation  
100  
mW  
°C  
°C  
°C  
fSC  
Junction temperature  
T
125  
j
JEDEC  
JEITA  
―
―
Storage temperature range  
Operating temperature range  
T
−55~125  
−40~100  
stg  
opr  
T
TOSHIBA  
Weight: 0.6mg(typ.)  
1-1L1A  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in temperature, etc.) may cause this product to  
decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating  
temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
*
Mounted on a glass epoxy circuit board of 20 × 20 mm,  
pad dimension of 4 × 4 mm.  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Test  
Circuit  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
= 1mA  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
V
V
V
―
―
―
―
―
I
I
I
―
―
―
―
―
0.28  
0.36  
0.56  
―
―
―
F (1)  
F (2)  
F (3)  
F
F
F
Forward voltage  
= 10mA  
= 50mA  
0.62  
5
Reverse current  
I
V
V
= 40V  
R
R
R
μA  
Total capacitance  
C
T
= 0, f = 1MH  
15  
―
z
pF  
Equivalent Circuit (Top View)  
Marking  
X
1
2007-11-01  
123

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与1SS417(TPL3)相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1SS417,L3F(CA TOSHIBA

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.1A, 45V V(RRM), Silicon
1SS417,L3M TOSHIBA

获取价格

 		DIODE SCHOTTKY 40V 100MA FSC
1SS417,L3M(T TOSHIBA

获取价格

 		Rectifier Diode
1SS417_04 TOSHIBA

获取价格

 		High Speed Switching Application
1SS417CT TOSHIBA

获取价格

 		High Speed Switching Application
1SS417CT(TPL3) TOSHIBA

获取价格

 		Schottky (Diodes & Rectifiers) Hi-Speed 40V 100mA
1SS417FN2 PANJIT

获取价格

 		SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER
1SS417FN2_17 PANJIT

获取价格

 		SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER
1SS417FN2_R1_00001 PANJIT

获取价格

 		SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER
1SS417TM PANJIT

获取价格

 		HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION

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