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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> 1SS416CT
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1SS416CT

更新时间： 2024-11-18 12:50:51
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 整流二极管开关
页数 文件大小 规格书
4页 187K
描述
High Speed Switching Application

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1SS416CT 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：CST2, 1-1P1A, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.68
Is Samacsys：N配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-XBCC-N2元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最大输出电流：0.1 A封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.1 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：35 V
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

1SS416CT 数据手册

 浏览型号1SS416CT的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1SS416CT的Datasheet PDF文件第3页浏览型号1SS416CT的Datasheet PDF文件第4页 
1SS416CT  
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type  
1SS416CT  
Unit: mm  
High Speed Switching Application  
0.6±0.05  
z Small package  
z Low forward voltage: V = 0.23 V (typ.) @I = 5 mA  
F
F
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
0.5±0.03  
+0.02  
-0.03  
0.05±0.03  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
0.38  
Maximum (peak) reverse Voltage  
Reverse voltage  
V
35  
30  
V
V
RM  
V
R
Maximum (peak) forward current  
Average forward current  
Surge current (10ms)  
I
200  
mA  
mA  
A
FM  
I
100  
O
I
1
FSM  
P *  
Power dissipation  
100  
mW  
°C  
°C  
°C  
CST2  
Junction temperature  
T
125  
j
JEDEC  
JEITA  
―
―
Storage temperature range  
Operating temperature range  
T
−55 to 125  
−40 to 100  
stg  
opr  
T
TOSHIBA  
1-1P1A  
Weight: 0.7 mg (typ.)  
*:  
Mounted on a glass epoxy circuit board of 20 mm × 20 mm,  
pad dimension of 4 mm × 4 mm.  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even  
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Test  
Circuit  
Characteristics  
Symbol  
Test Condition  
= 1 mA  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
V
V
V
―
I
I
I
―
―
―
―
―
―
0.18  
0.23  
0.38  
―
―
―
F (1)  
F (2)  
F (3)  
R(1)  
R(2)  
F
F
F
Forward voltage  
―
= 5 mA  
―
= 100 mA  
0.50  
20  
I
I
―
V
V
V
= 10 V  
R
R
R
Reverse current  
μA  
―
―
= 30 V  
―
50  
Total capacitance  
C
T
= 0 V, f = 1 MHz  
15  
―
pF  
1
2009-01-08  
1234

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与1SS416CT相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1SS416CT(TPL3) TOSHIBA

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 		Schottky (Diodes & Rectifiers) Hi-Speed 30V 100mA
1SS416CT,L3F TOSHIBA

获取价格

 		DIODE SCHOTTKY 30V 100MA FSC
1SS416CT,L3F(B TOSHIBA

获取价格

 		Rectifier Diode
1SS416TS TOSHIBA

获取价格

 		DIODE 0.1 A, 35 V, SILICON, SIGNAL DIODE, FSC2, 1-1X1A, 2 PIN, Signal Diode
1SS417 TOSHIBA

获取价格

 		High Speed Switching Application
1SS417(TH3SUMIK) TOSHIBA

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.1A, 45V V(RRM), Silicon
1SS417(TL3,T) TOSHIBA

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.1A, 45V V(RRM), Silicon
1SS417(TL3OME5) TOSHIBA

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.1A, 45V V(RRM), Silicon
1SS417(TL3PC) TOSHIBA

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.1A, 45V V(RRM), Silicon
1SS417(TL3SMMD) TOSHIBA

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.1A, 45V V(RRM), Silicon

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