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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> 1SS416TS
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1SS416TS

更新时间： 2024-11-18 13:03:47
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 整流二极管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 134K
描述
DIODE 0.1 A, 35 V, SILICON, SIGNAL DIODE, FSC2, 1-1X1A, 2 PIN, Signal Diode

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1SS416TS 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-PDSO-F2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.68配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-F2元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最大输出电流：0.1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
最大功率耗散：0.1 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：35 V表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子形式：FLAT
端子位置：DUALBase Number Matches：1

1SS416TS 数据手册

 浏览型号1SS416TS的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1SS416TS的Datasheet PDF文件第3页 
1SS416  
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type  
1SS416  
High Speed Switching Application  
Unit: mm  
0.6±0.05  
A
z Small package  
z Low forward voltage: V = 0.23V (typ.) @I = 5mA  
F
F
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
0.2  
±0.05  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
0.1±0.05  
0.07 M  
A
Maximum (peak) reverse voltage  
Reverse voltage  
V
35  
30  
V
V
RM  
V
R
+0.02  
-0.03  
0.48  
Maximum (peak) forward current  
Average forward current  
Surge current (10ms)  
I
200  
mA  
mA  
A
FM  
I
100  
O
I
1
FSM  
P *  
Power dissipation  
100  
mW  
°C  
°C  
°C  
Junction temperature  
T
125  
j
fSC  
Storage temperature range  
Operating temperature range  
T
−55∼125  
−40∼100  
stg  
opr  
T
JEDEC  
JEITA  
―
―
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
TOSHIBA  
Weight: 0.6mg(typ.)  
1-1L1A  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are  
within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
*:  
Mounted on a glass epoxy circuit board of 20 × 20mm,  
pad dimension of 4 × 4mm.  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Test  
Circuit  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
= 1mA  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
V
V
V
―
―
―
―
―
―
I
I
I
―
―
―
―
―
―
0.18  
0.23  
0.38  
―
―
―
F (1)  
F (2)  
F (3)  
R(1)  
F
F
F
Forward voltage  
= 5mA  
= 100mA  
0.50  
20  
I
I
V
V
= 10V  
= 30V  
R
R
Reverse current  
μA  
―
50  
R(2)  
CT  
Total capacitance  
VR = 0, f = 1MHz  
15  
―
pF  
Equivalent Circuit (Top View)  
Marking  
W
1
2007-11-01  
123

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与1SS416TS相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1SS417 TOSHIBA

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 		High Speed Switching Application
1SS417(TH3SUMIK) TOSHIBA

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.1A, 45V V(RRM), Silicon
1SS417(TL3,T) TOSHIBA

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.1A, 45V V(RRM), Silicon
1SS417(TL3OME5) TOSHIBA

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.1A, 45V V(RRM), Silicon
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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.1A, 45V V(RRM), Silicon
1SS417(TPL3) TOSHIBA

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 		RECTIFIER DIODE,SCHOTTKY,45V V(RRM),EMD2VAR
1SS417,L3F(CA TOSHIBA

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.1A, 45V V(RRM), Silicon
1SS417,L3M TOSHIBA

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 		DIODE SCHOTTKY 40V 100MA FSC
1SS417,L3M(T TOSHIBA

获取价格

 		Rectifier Diode

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