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1SS405H3F

更新时间： 2024-11-19 03:29:47
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 208K
描述
Rectifier Diode

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1SS405H3F 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PDSO-F2
Reach Compliance Code：unknownFactory Lead Time：12 weeks
风险等级：5.66应用：GENERAL PURPOSE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.55 V
JESD-30 代码：R-PDSO-F2最大非重复峰值正向电流：1 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最大输出电流：0.05 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
最大功率耗散：0.15 W最大重复峰值反向电压：25 V
最大反向电流：0.5 µA反向测试电压：20 V
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

1SS405H3F 数据手册

 浏览型号1SS405H3F的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1SS405H3F的Datasheet PDF文件第3页 
1SS405  
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type  
1SS405  
Unit: mm  
High Speed Switching Application  
z
z
z
Low forward voltage  
Low reverse current  
Small total capacitance  
: V  
= 0.50V (typ.)  
F (3)  
: I = 0.5μA (max)  
R
: C = 3.9pF (typ.)  
T
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Maximum (peak) reverse Voltage  
Reverse voltage  
V
25  
20  
V
V
RM  
V
R
Maximum (peak) forward current  
Average forward current  
Surge current (10ms)  
I
100  
mA  
mA  
A
FM  
I
50  
O
I
1
FSM  
P *  
Power dissipation  
150  
mW  
°C  
°C  
JEDEC  
―
―
Junction temperature  
T
125  
j
JEITA  
Storage temperature range  
T
−55 to 125  
stg  
TOSHIBA  
1-1G1A  
Weight: 1.4mg(Typ.)  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating  
conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
*:  
Mounted on a glass epoxy circuit board of 20 × 20 mm,  
pad dimension of 4 × 4 mm.  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Test  
Circuit  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
= 1mA  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
V
V
V
―
―
―
―
―
I
I
I
―
―
―
―
―
0.33  
0.38  
0.50  
―
―
―
F (1)  
F (2)  
F (3)  
F
F
F
Forward voltage  
= 5mA  
= 50mA  
0.55  
0.5  
―
Reverse current  
I
V
V
= 20V  
R
R
R
μA  
Total capacitance  
C
T
= 0, f = 1MH  
3.9  
z
pF  
Equivalent Circuit (Top View)  
Marking  
A7  
Start of commercial production  
2001-09  
2014-03-01  
1
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1SS406 TOSHIBA

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 		20 V/0.05 A Schottky Barrier Diode, SOD-882(CST2)

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