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1SS413

更新时间： 2024-01-15 00:51:29

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商升特 - SEMTECH		肖特基二极管光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	135K
描述
SILICON EPITAXIAL SCHOTTKY BARRIER DIODE

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1SS413 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FSC, 1-1L1A, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.52
其他特性：	HIGH SPEED SWITCH	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.55 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
最大非重复峰值正向电流：	1 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
最大输出电流：	0.05 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大功率耗散：	0.1 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	25 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

1SS413 数据手册

1SS413

SILICON EPITAXIAL SCHOTTKY BARRIER DIODE

for high speed switching application

PINNING

DESCRIPTION

Cathode

Anode

Top View

Marking Code: "Q"

Simplified outline SOD-523 and symbol

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Peak Reverse Voltage

Reverse Voltage

V_RM

V_R

I_FM

I_O

Peak Forward Current

Average Forward Current

Surge Current (10 ms)

Power Dissipation

100

I_FSM

P_tot

T_J

100

Junction Temperature

Storage Temperature

125

T_s

- 55 to + 125

Characteristics at T_a= 25 C

Parameter

Symbol

Typ.

Max.

Unit

Forward Voltage

at I_F= 50 mA

V_F

I_R

0.55

0.5

Reverse Current

at V_R= 20 V

µA

Total Capacitance

at V_R= 0 V, f = 1 MHz

C_T

3.9

SEMTECH ELECTRONICS LTD.

(Subsidiary of Sino-Tech International Holdings Limited, a company

listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724)

Dated : 23/11/2006

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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