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1SS413(TL3,T)

更新时间： 2024-11-18 14:46:11
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 174K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.05A, 25V V(RRM), Silicon

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1SS413(TL3,T) 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-PDSO-F2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：7.76
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-F2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C最大输出电流：0.05 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE最大功率耗散：0.1 W
最大重复峰值反向电压：25 V表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子形式：FLAT
端子位置：DUALBase Number Matches：1

1SS413(TL3,T) 数据手册

 浏览型号1SS413(TL3,T)的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1SS413(TL3,T)的Datasheet PDF文件第3页 
1SS413  
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type  
1SS413  
Unit: mm  
High Speed Switching Application  
0.6±0.05  
A
•
•
•
Low forward voltage  
Low reverse current  
Small total capacitance  
: V  
= 0.50V (typ.)  
F (3)  
: I = 0.5μA (max)  
R
: C = 3.9pF (typ.)  
T
0.2  
±
0.05  
0.1±0.05  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
0.07 M  
A
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
+0.02  
-0.03  
0.48  
Maximum (peak) reverse Voltage  
Reverse voltage  
V
25  
20  
V
V
RM  
V
R
Maximum (peak) forward current  
Average forward current  
Surge current (10ms)  
I
100  
50  
mA  
mA  
A
FM  
I
O
fSC  
I
1
FSM  
P *  
Power dissipation  
100  
125  
−55~125  
mW  
°C  
°C  
JEDEC  
―
―
Junction temperature  
T
j
JEITA  
Storage temperature range  
T
stg  
TOSHIBA  
1-1L1A  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
Weight:0.0006g(typ.)  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating  
conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
*
Mounted on a glass epoxy circuit board of 20 × 20 mm,  
pad dimension of 4 × 4 mm.  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Test  
Circuit  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
= 1mA  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
V
V
V
―
―
―
―
―
I
I
I
―
―
―
―
―
0.33  
0.38  
0.50  
―
―
―
F (1)  
F (2)  
F (3)  
F
F
F
Forward voltage  
= 5mA  
= 50mA  
0.55  
0.5  
―
Reverse current  
I
V
V
= 20V  
R
R
R
μA  
Total capacitance  
C
T
= 0, f = 1MH  
3.9  
z
pF  
Equivalent Circuit (Top View)  
Marking  
Y
1
2007-11-01  
123

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与1SS413(TL3,T)相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1SS413(TL3RENE) TOSHIBA

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.05A, 25V V(RRM), Silicon
1SS413(TL3SONY) TOSHIBA

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.05A, 25V V(RRM), Silicon
1SS413CT TOSHIBA

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1SS416,H3F(T TOSHIBA

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